存储芯片“涨声”不断 DRAM短期或将见顶 NAND供需持续失衡

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其次,与传统的“面背堆叠(F2B)”不同,博通直接将2nm的计算芯片与5nm的SRAM缓存芯片“正面贴正面”地键合在一起。这种原子级的铜-铜连接,使得每平方毫米可达成数万个互联点,大幅提升了芯片间的互联密度,同时显著降低了接口功耗。这种高密度、低功耗的互联能力,为算力密集型应用提供了基础。据悉,3.5D XDSiP 所采用的 F2F HCB 技术,很可能是台积电 SoIC-X(无凸块)堆叠技术的专属落地方案。和AMD的方案类似,尽管该方案采用了博通自主研发的设计架构与自动化流程,但因其同时融合了 2.5D 集成与 3D 堆叠两种技术,因此被定义为 “3.5D” 封装。

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